（北京综合讯）中国政府修订了集成电路布图设计保护条例，收紧了注册标准，并对严重侵权行为处以惩罚性赔偿，以期更好地保护国内晶片技术。
据新华社星期一（8月3日）报道，中国国务院总理李强7月23日签署了国务院令，由司法部和国家知识产权局联合发布修订后的《集成电路布图设计保护条例》，将自10月15日起施行。
据路透社报道，这些措施并非出口管制，而是体现了北京对中国企业自主研发技术的日益重视。
在美国接连实施限制措施，导致中国无法获取先进的半导体设计软件和制造设备后，中国半导体行业加快了自主研发替代方案的步伐。
修订后的条例涵盖了晶片内部元件排列方式的详细布图设计，这些设计可能包含大量的工程工作，即使对于不自行生产晶片的公司而言，也是半导体研发的核心。
条例旨在保护集成电路布图设计专有权，加大相关设计被抄袭或被盗用的难度。申请人必须证明其申请源于真正的创造性活动，提交原创性声明，并在提交给主管部门的材料中明确标明原创元素。
中国监管机构将有权驳回明显不符合相关要求的申请，同时，修订后的条例为不应授予注册的相关质疑提供了更清晰的依据。
安凯瑞中国顾问公司驻北京董事总经理赫鲁指出：“通过提高原创性标准、收紧注册要求和惩罚恶意申请，北京正试图筛选掉低质量的专利申请，并识别出真正具备技术能力的公司。”
