韩国科技巨企三星电子的前研究员，涉嫌向中国科企长鑫存储泄密，被判监七年。
据韩联社报道，首尔中央地方法院审判庭星期三（4月22日）对三星电子半导体技术泄密案作出一审判决，判处嫌疑人、前三星电子全姓研究员有期徒刑七年。
审判庭认定，被泄露的是国家核心技术，全姓研究员参与泄露相关技术的过程。全姓研究员将大企业投入巨额资金研发的关键技术信息外泄，并让外国单位使用，造成有关企业乃至国家利益受损，应对其予以严惩。
全姓研究员曾与前三星电子金姓经理一起离职并跳槽至中国半导体企业长鑫存储。全姓研究员涉嫌在此过程中将三星电子同步动态随机存取存储器（DRAM）工艺技术泄露给中方，于去年5月被逮捕起诉。
涉案技术为三星电子投入1.6万亿韩元（13亿7920万新元）资金全球率先研发出的10纳米级DRAM最新工艺。经查发现，全姓研究员以提供涉案技术相关信息为代价，近六年从长鑫存储方面共获利29亿韩元，包括合同奖励3亿韩元、价值3亿韩元的认股权等。
