中国本周传出已开始生产自主研发的浸没式深紫外光刻机，预计今年内交付约五台这类晶片制造关键设备。受访学者评估，若消息属实，意味着美国对华科技战持续数年的“小院高墙”策略宣告失效，中国应对美国以晶片和光刻机掐脖子取得里程碑式突破，但在设备质量追赶行业龙头可能有待数年。
美国科技媒体《信息报》（The Information）星期一（7月27日）引述两名消息人士披露，位于上海的一家国资企业开始生产深紫外光刻机（Deep Ultraviolet Lithography，简称DUV），并已从光刻初创公司上海宇量昇科技等其他中国企业抽调人员，组建研发团队，计划今年生产约五台DUV，明年目标约20台，预计今年内交付中芯国际、华虹半导体和长鑫存储。这三家中国主要晶片制造商，目前受到不同程度的美国制裁与出口管制限制。
因荷兰晶片设备制造巨头阿斯麦（ASML）被禁止对华出口最先进的极紫外光刻机（Extreme Ultraviolet Lithography，简称EUV），浸没式DUV成为中国晶片制造商目前能使用的最先进光刻设备，用于在硅晶圆上印制电路图形。报道称，中国也正在研发国产EUV，但目前仍处于原型机阶段。
路透社星期二（28日）引述消息人士证实中国开始生产国产DUV，并点名仅创立三年的上海爱晟纳电子科技集团，在整合来自中国顶尖光刻初创公司的团队后，正领导生产工作。
中国企业信息查询系统“天眼查”资料显示，上海爱晟纳成立于2023年8月，注册资本逾70亿元人民币（13.4亿新元），专注于半导体与电子专用设备研发、制造和销售，由上海电气控股和上海国际信托旗下子公司等两家国有企业持股。
新加坡管理大学李光前商学院金融学副教授傅方剑接受《联合早报》采访时说：“如果这个消息属实，那当然是代表中国在科技攻关、克服美国卡脖子取得一个里程碑式的突破。”
傅方剑指出，美国拜登时期升级对华科技战，联合日本、台湾、荷兰等晶片供应链方卡中国大陆脖子；美国国会今年4月还推动《硬件技术多边协调管制法案》（MATCH Act），进一步限制北京获取阿斯麦DUV等设备及售后服务。
他说：“中国早就知道这块必须自立自强，美国是不可能放松的，所以中国确实一直在组织，生产国产DUV只是什么时候做出来的问题。”
消息人士称，爱晟纳的DUV光刻机预计还需进一步测试，与阿斯麦机型相比还有很大差距，不会直接构成商业威胁。但投资者仍担忧这将对这家荷兰巨头在华市场地位构成挑战，导致阿斯麦股价星期一跌至6月初以来最低水平，一度重挫8.3%。
摩根大通分析师星期二在报告中指出，生产少量DUV工具，与大批量生产不同，“在大批量生产中，良率、套刻精度、吞吐量和数千片晶圆运行的可靠性才是关键”。
傅方剑认为，尽管中国加速生产国产DUV，但“刚出来的机器还需要各方测试，质量还需要磨合提高，再给个三四年，才可能做得和阿斯麦的DUV质量相差无几”。
新加坡优势研究咨询公司联合创始人张帆受访时指出，中美科技战已持续八九年，中国期间在重建设备体系方面取得相当大的进展。“现在中国的第一代DUV，性能肯定还不如阿斯麦现有的产品，但有了基础以后，其实产品是可以迭代的，中国突破七纳米（晶片）只是时间问题”。
张帆认为，中国一旦加速开发国内替代产品，“可能假以时日就会全面对美国技术为主导的半导体产业，产生真正的‘生存级的威胁’”。
张帆并指出，美国对华发起科技围堵已失效并宣告破产，“拜登任期内采取的小院高墙政策，基本上完全没有达到预定效果，美国应该考虑把墙拆了，就像当初柏林墙拆掉一样，这个墙存在没有任何意义了”。
尽管硬件方面取得可观进展，但张帆指出，中国在晶片算力方面仍与美国有差距。他呼吁中国考虑在未来两三年的过渡期，引进更多有性能优势的美国晶片，以确保中国人工智能模型有足够算力支撑迭代，以跟上美国模型的更新步调。
他说：“（中国）需要有两条腿走路的均衡态势，全部都要求只能用国产晶片，就会变成单脚跳，单脚是跑不快的。”
什么是深紫外线（DUV）与极紫外线（EUV）？
DUV（深紫外线）和 EUV（极紫外线）是制造半导体晶片最核心的两大光刻技术。两者的本质区别在于光源波长不同，DUV是支撑当前行业产能的“中流砥柱”，EUV则是突破物理极限、攀登性能巅峰的“行业金字塔尖”。
据阿斯麦官网、中国科学院微电子研究所等介绍，DUV波长193纳米，如同细笔，通过多次曝光雕刻电路，适用于生产七纳米以上成熟晶片，包括多数汽车晶片、手机基带等。
EUV波长骤降至13.5纳米，如同超细针管笔，必须在真空环境下通过反射镜运作，主要用于生产五纳米、三纳米及以下先进晶片，包括高端手机SoC（System on Chip）、人工智能等晶片。
