三星首次与台积电合作为英伟达制造HBM底层逻辑晶片

韩国媒体报道，韩国三星电子首次与台积电合作，为美国科技巨企英伟达制造下一代定制高带宽内存（high bandwidth memory，简称HBM）的底层逻辑晶片（base die）。

据路透社报道，《首尔经济日报》星期天（10月18日）引述业界人士称，英伟达已向三星电子、SK海力士及美光三家供应商提出统一要求，采用台积电的三纳米工艺制造英伟达的HBM底层逻辑晶片，核心晶片则要采用第六代DRAM工艺制造。这一要求是为确保产品一致性，并简化验证程序。

报道称，三星经内部评估后，决定接受英伟达的要求，但对于标准版HBM及面向其他客户的产品，三星仍将保留全包生产策略。