全球芯片制造商巨头台积电今天（17日）首次推出采用纳米片电晶体的下一世代先进两纳米制程技术，成为全球第一家率先提供两纳米制程代工服务的晶圆厂，预计2025年开始量产。
综合台湾《联合报》《自由时报》报道，台积电北美技术论坛今天于美国加州圣克拉拉市恢复举办实体论坛，为接下来几个月陆续登场的全球技术论坛揭开序幕。
台积电此次在论坛上首度宣布两纳米（N2）技术进展明确时程，指出N2技术自N3大幅往前推进，在相同功耗下，速度增快10％至15％；在相同速度下，功耗也降低25％至30％，开启了高效效能的新纪元。
台积电称，N2将采用纳米片电晶体架构，使效能及功耗效率提升一个世代，协助台积电客户实现下一代产品的创新。除了行动运算的基本版本，N2技术平台也涵盖高效能版本及完备的小晶片整合解决方案。N2预计于2025年开始量产。
台积电总裁魏哲家称，半导体业身处快速变动、高速成长的数字世界，对于运算能力与能源效率的需求较以往增加的更快，为半导体产业开启了前所未有的机会与挑战。在此令人兴奋的转型与成长之际，台积电在技术论坛揭示的创新成果彰显公司的技术领先地位，也代表公司支持客户的承诺。
台积电技术论坛主要的技术焦点还包括支援三纳米（N3）及N3E的TSMC FINFLEX技术，公司称，领先业界的N3技术预计于2022年下半年进入量产，并将搭配创新的TSMC FINFLEX架构，提供晶片设计人员更多灵活性。
台积电称，TSMC FINFLEX技术提供多样化的标准元件选择，鳍结构支援超高效能，也支援最佳功耗效率与电晶体密度，能精准协助客户完成符合其需求的系统单晶片设计，各功能区块采用最优化的鳍结构，支援所需的效能、功耗与面积，同时整合至相同的晶片上。
另外，台积电研发资深副总经理米玉杰在论坛中指出，台积电将于2024年引进高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）曝光机，以协助客户推动创新。因这项设备是艾司摩尔（ASML）最先进的微影设备，英特尔先前曾宣称率先取得设备，预计2025年量产，台积电虽未说明量产时程，但这次首度谈及引进时程，引起关注。
曝光机是半导体先进制程的关键，EUV设备更是荷兰的阿斯麦公司（ASML） 独家生产，市场估计ASML的高数值孔径EUV曝光设备，每套售价高达3亿美元（4.16亿新元），将只有台积电、三星、英特尔三家大厂是买家，谁先采用备受业界关注。
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